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DDR3 램 단면/양면 성능차이, 가격차이
  2014-05-15 12:20:34 댓글:(0)   조회:3739



DDR3 램 단면/양면 성능차이, 가격차이





3별램이 현재 2GB DDR3 DIMM 모듈이 양면과 단면이
섞여서 판매가 되고 있습니다.

양면은 생산량이 감소하는 추세라 점점 희귀해지고
단면이 많이 유통되고 있습니다.

이쯤에서 한가지 궁금한 생각이 듭니다.



단면/양면... 과연 성능차이가 있을까???
그냥 단순히 생각을 해봐도 그렇고 알려진 바도 성능차이는
없다는게 대세입니다... 정말 그럴까요?
실제로는 성능차이가 있습니다.

Row Refresh Cycle Time(tRFC) 값이
양면은 80T, 단면은 117T로 SPD값이 세팅되어 있습니다.

이로 인해서 램성능을 측정하면 읽기/쓰기에서는 무시해도
될정도의 차이가 나지만 Copy에서는 양면이 약 13500MB/s
단면이 약 11000MB/s로 2500MB 가량의 차이가 납니다.


이것은 오차라고 하기에는 의외로 큰 차이입니다.
하지만 사람이 PC를 사용하면서 이 차이로 인해서 발생하는
미세한 성능차이를 느끼는 것은 불가능합니다...

즉... 이론적으로는/측정값으로는 차이가 나지만 인간이 체감할수는 없는 차이이다
는게 결론입니다.

이제 가격에 대한 얘기를 해보면.
3별램은 30nm의 최신공정에서 제조됩니다. 정확히 언제 생산분부터 이 공정이 적용되
었는지 자세히는 모릅니다. 2009년에 생산된 램과 2010년에 생산된 램은 칩모듈 크기가
다릅니다. 2010년도 분부터 더 작아졌습니다. 미세공정이 적용된 결과이죠.


3별램이 1.5v / DDR3-1333짜리가 기본전압에서 2000까지 가볍게 들어간다는 소식을
심심치 않게 들을수 있는데 아마도 공정 변화에 의해서 발생한 이점이 아닌가 짐작됩니다.
3별은 이미 DDR3 마지막 규격인 2133짜리 30nm 공정 램을 생산해 냈습니다. 샌디브리지
의 출시에 맞춰서 아마 시장에 물량을 공급하겠지요.


제 짐작으로는 2000까지 가볍게 오버되는 1333짜리 램이 기실은 1.35v의 DDR3L 규격의
모듈이 아닌가 하고 봅니다... 단지 JEDEC의 규격을 준수하기 위해서 표준에 맞게
SPD세팅이 되어있는게 아닌가 하고 짐작합니다.

공정이 향상되면 당연히 생산성이 높아져서 생산비가 절감됩니다.
2GB 단면은 = 2Gbit * 8 개로 구성
2GB 양면은 = 1Gbit * 16개로 구성
모듈단가는 2GB 양면 > 2GB 단면입니다.

그러니 당연히 공급가격이 2GB양면이 조금이라도 더비쌀수밖에 없습니다.
용산에서 양면램에 +1000원을 붙여서 판매하는게 이런 이유입니다.
업자들이 천원이라도 더 빼먹자고 농간을 부리는게 아니라는 거죠..

이제 양면/단면의 성능과 가격차이 외에 다른 차이를 살펴보면...
메인보드에서 물리적인 소켓(Socket)과 논리적인 뱅크(Bank)/랭크(Rank)로
구별됩니다.


1개의 소켓은 논리적인 2개의 뱅크로 구성됩니다.
그러니깐 램소켓이 4개가 있다면??? 뱅크는 총 8뱅크가 됩니다.

램소켓 1번 - 0/1뱅크
램소켓 2번 - 2/3뱅크
램소켓 3번 - 4/5뱅크
램소켓 4번 - 6/7뱅크

Bank 부족한 과거에는

램소켓 1번 - 0/1뱅크
램소켓 2번 - 1/2뱅크
램소켓 3번 - 2/3뱅크

이렇게 공유한 경우도 있습니다. 단면2개나 양면1개+단면1개는 가능하지만,
양면 2개는 사용이 불가능한 경우이죠. 뱅크가 부족하기 때문입니다.

단면은 한개의 DIMM모듈이 1개의 뱅크를 차지합니다. 이렇게 모듈이 사용하는
뱅크를 논리적인 Rank라고도 부릅니다.
양면은 1개의 DIMM모듈이 2개의 뱅크를 차지합니다.
메인보드에서 사용가능한 총 뱅크수(물리적인 소켓수가 아닌)는 칩셋과 바이오스
에 의해서 결정됩니다.

예를 들어 어떤 메인보드에 램소켓이 4개가 있고 사용가능한 총 뱅크는 6개다...
그럼 단면만 4개를 꽂으면 4 Rank가 되니 이상없이 사용가능합니다.
그런데 양면을 4개를 꽂으면 8 Rank가 되니 2개를 초과해 버립니다...

이렇게 되면 용량의 일부를 인식하지 못하거나 아예 오작동하는 결과가 발생합니다.
하지만 최근에 나오는 대부분의 칩셋은 양면램으로 다채워도 충분한 Bank를 제공하니
이런걱정을 할필요가 없습니다. 일부 구형보드나 칩셋에서는 문제가 발생할수 있습니다.


또한 일부 구형 칩셋에서는 집적도가 놓은 고용량 모듈을 인식하지 못하는 경우가
있습니다. 그래서 뱅크수가 충분한데도 단면을 인식하지 못하는 경우가 있습니다...
일부 G41 보드에서 단면을 인식하지 못하거나 오작동 한다고 소식이 있습니다.

이제 뱅크 구성외에 다른 차이점을 보면
과연 전력소비와 발열은 차이가 나느냐? 안나느냐???
단면은 양면에 비해서 동일 면적에 2배의 용량을 때려 박아야 합니다.
그만큼 더 최신공정, 더 미세공정에서 제조되어야 합니다.


단순히 생각을 해봐도 16개의 칩이 작동하는 양면이 8개의 칩이 작동하는
단면에 비해서 전력소비가 조금이라도 더 많지 않을까 하고 짐작할수 있습니다.

발열에 있어서는, 미세공정이 적용되었다고 해도 메모리 모듈에서 뿜어져
나오는 열기가 생각보다 높습니다. 그냥 사용해도 지장이 없으니 그렇게
나오는 것이겠지만 DDR1은 400, DDR2는 800, DDR3는 1600정도만 되어도
작동중에 손으로 잡아보면 잡고 있기가 힘들 정도로 뜨겁습니다.


모든 기계장치에게 열은 가장 큰 적입니다.
2만원~3만원 짜리 램쿨러들이 심심해서 그냥 나오는게 아니라는거죠.
양면램을 소켓에 꽂으면 맞닿는 면은 보온효과로 인해서 단면보다는
더 온도가 높으리라고 짐작할수 있습니다.

한편... 왜 3별은 단면과 양면의 SPD값에 차이를 둔것이냐???
2Gbit모듈이 최신공정에서 제조되기 시작한게 오래되지 않았습니다.
아마도 공정과 수율에 따라서 그에 맞게 여유를 둔게 아닌가 보이는군요.

좀더 공정이 향상되어서 더 최신 공정이 나와서 안정화가 이루어지면
1Gbit모듈처럼 바뀔수도 있겠지요.

DIMM 양면과 단면이 성능차이가 나는 것은 과거부터 있던 일입니다.
양면으로 2개의 뱅크를 채우면 Bank Interleave가 적용되어서
단면으로 1뱅를 사용하는 것보다 조금이라도 성능이 더 나왔습니다.

Bank Interleave는 MLC를 사용하는 USB메모리에서도 성능향상을 위해서
사용하는 기법과 흡사한데, HDD에서 사용하는 Raid0-Stripe모드와 유사한
개념입니다.

메인보드 칩셋에서는 이걸 잘 사용하지 않는데, 요즘은 이런 난잡한
기술이 아니더라도 듀얼채널이나 트리플채널, 또는 고속의 메모리를 사용하면
CPU가 요구하는 충분한 대역폭을 확보할수 있으니 굳이 사용할 필요가 없죠.



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